1. Биполяр тоташу транзисторлары (BJT):
(1) Структура:BJTлар - өч электродлы ярымүткәргеч җайланмалар: нигез, эмиттер һәм коллектор. Алар, нигездә, сигналларны көчәйтү яки алыштыру өчен кулланыла. BJTлар коллектор һәм эмиттер арасындагы зуррак ток агымын контрольдә тоту өчен нигезгә кечкенә керү тогы таләп итә.
(2) BMS'тагы функция: In BMSкушымталарда, BJTлар аларның ток көчәйтү мөмкинлекләре өчен кулланыла. Алар система эчендәге ток агымын идарә итәргә һәм көйләргә ярдәм итә, батареяларның нәтиҗәле һәм куркынычсыз зарядлануын һәм разрядлануын тәэмин итә.
(3) Үзенчәлекләр:BJT'лар югары ток көчәйтүенә ия һәм төгәл ток контролен таләп итүче кушымталарда бик нәтиҗәле. Алар, гадәттә, җылылык шартларына сизгеррәк һәм MOSFET'лар белән чагыштырганда, югарырак куәт таратудан интегә алалар.
2. Металл-оксид-ярымүткәргечле кыр эффектлы транзисторлар (MOSFET):
(1) Структура:MOSFETлар - өч терминаллы ярымүткәргеч җайланмалар: капка, чыганак һәм агым. Алар чыганак һәм агым арасындагы ток агымын контрольдә тоту өчен көчәнеш кулланалар, бу аларны коммутация кушымталарында бик нәтиҗәле итә.
(2) ФункцияBMS:BMS кушымталарында MOSFETлар еш кына нәтиҗәле коммутация мөмкинлекләре өчен кулланыла. Алар тиз кабызыла һәм сүндерелә, минималь каршылык һәм көч югалтулары белән ток агымын контрольдә тоталар. Бу аларны батареяларны артык зарядлаудан, артык разрядланудан һәм кыска ялганышлардан саклау өчен идеаль итә.
(3) Үзенчәлекләр:MOSFETлар югары керү импедансына һәм түбән каршылыкка ия, бу аларны BJTлар белән чагыштырганда җылылык таратуы түбәнрәк булган югары нәтиҗәле итә. Алар, бигрәк тә, BMS эчендә югары тизлекле һәм югары нәтиҗәле коммутация кушымталары өчен яраклы.
Кыскача мәгълүмат:
- BJTларюгары ток көчәйтүе аркасында төгәл ток контролен таләп итүче кушымталар өчен яхшырак.
- MOSFETларнәтиҗәле һәм тиз күчү, түбән җылылык тарату өчен өстенлекле, бу аларны батарея эшчәнлеген саклау һәм идарә итү өчен идеаль итә.BMS.
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 13 июле
