1. Биполяр чишелеш транзисторлары (BJT):
(1) Структурасы:BJT - өч электродлы ярымүткәргеч җайланмалар: нигез, эмитер һәм коллектор. Алар беренче чиратта сигналларны көчәйтү яки күчү өчен кулланыла. Коллектор һәм эмитер арасында зуррак ток агымын контрольдә тоту өчен, BJT базага кечкенә кертү токын таләп итә.
(2) BMS функциясе: In BMSкушымталар, BJTлар хәзерге көчәйтү мөмкинлекләре өчен кулланыла. Алар системадагы агымны идарә итәргә һәм көйләргә булышалар, батарейкаларның зарядлы һәм эффектив һәм куркынычсыз агызылуын тәэмин итәләр.
3) Характеристика:BJTлар югары ток табышына ия һәм төгәл агым контроле таләп иткән кушымталарда бик эффектив. Алар, гадәттә, җылылык шартларына сизгеррәк һәм MOSFETлар белән чагыштырганда, көчнең таралуыннан интегәләр.
2. Металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторлары (MOSFET):
(1) Структурасы:MOSFETлар - өч терминаллы ярымүткәргеч җайланмалар: капка, чыганак һәм дренаж. Алар чыганак белән дренаж арасындагы ток агымын контрольдә тоту өчен көчәнеш кулланалар, кушымталарны күчерүдә аларны югары эффектив итәләр.
2) ФункцияBMS:BMS кушымталарында MOSFETлар еш эффектив күчү мөмкинлекләре өчен кулланыла. Алар минималь каршылык һәм көч югалту белән ток агымын контрольдә тотып, тиз кабызырга һәм сүндерергә мөмкин. Бу аларны батарейкаларны артык зарядкадан, артык агызудан һәм кыска схемалардан саклау өчен идеаль итә.
3) Характеристика:MOSFETларның югары кертү импеденциясе һәм түбән каршылыклары бар, аларны BJT белән чагыштырганда түбән җылылык тарату белән югары эффектив итә. Алар BMS эчендә югары тизлекле һәм югары эффектив күчү кушымталары өчен аеруча яраклы.
Аннотация:
- BJTscurrentгары ток табышлары аркасында төгәл агым контроле таләп иткән кушымталар өчен яхшырак.
- MOSFETsтүбән җылылык тарату белән эффектив һәм тиз күчү өчен өстенлекле, аларны батарея эшләрен саклау һәм идарә итү өчен идеаль итәBMS.
Пост вакыты: 13-2024 июль
